セラミック多層基板/積層部品について

セラミック多層基板/積層部品について

今まで普通に「積層部品」とか記してきましたが、少し調べてみました。

〇セラミック多層基板(積層部品)の概念は、1961年に発表されている。

〇実用化は、1970~80年台の大型コンピュータ(メインフレーム)全盛期に、

IBMが内部配線電極にタングステンWを使ったアルミナ多層基板上にSiチップを搭載する設計を採用したのが最初?と推測。

「電極材とセラミックスを同時に焼成」して、どちらも緻密質にして3次元の配線構造物としている。

〇その後、類似・派生製品として、

・NiCuZnフェライトと銀Ag電極でのチップインダクタ:ノイズ対策部品

LTCC(低温同時焼成セラミック)と銀Agまたは銅Cu電極の高周波部品

LTCCのLow Temperture:低温とは、上記アルミナ/タングステンの多層基板の焼成温度が1300℃超と高温であることと対比である。

LTCCが一般化したので、アルミナ/タングステンをHTCC(High Temperature ・・・)というようになった、と想像します。

より具体的に「低温」とは、Agと同時焼成では900℃、Cuと同時焼成では1000℃となります。

AgやCuは、電気抵抗が小さく、携帯電話の高周波回路では低損失であることが要求されていて、LTCCの主要用途となった。

・チタバリ(チタン酸バリウム)とNi電極の積層チップコンデンサMLCC

等が開発され、量産されている。

数量ではMLCCがダントツ。

スマホで1,000個、薄型テレビで2,000個使用されていると言われている。

自動車では現在6,000個から、電動化で10,000個と予想されている。

シェアNo.1の村田製作所は、月当たり「〇兆個」を生産しているそうです。

 

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